IRF7452和IRF7452PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7452 IRF7452PBF STS4NF100

描述 SOIC N-CH 100V 4.5AINFINEON  IRF7452PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 60 mohm, 10 V, 5.5 VN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.5A 4.00 A

上升时间 11 ns 11 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

下降时间 13 ns 13 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 4.00 A

漏源极电阻 - 0.06 Ω 65.0 mΩ

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

额定功率 - 2.5 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 5.5 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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