IPP50R399CP和IPP50R399CPXKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP50R399CP IPP50R399CPXKSA1 IPA50R399CP

描述 Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  IPA50R399CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 399 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.399 Ω - 399 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 83 W 83 W 83 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 560 V 500 V 550 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9A 9.00 A

上升时间 14 ns 14 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 890pF @100V(Vds) 890pF @100V(Vds) 890pF @100V(Vds)

下降时间 14 ns 14 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83 W 83W (Tc) 83000 mW

额定功率 - 83 W -

通道数 - - 1

长度 10.36 mm 10.36 mm 10.65 mm

宽度 4.57 mm 4.57 mm 4.85 mm

高度 15.95 mm 15.95 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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