PBSS3540M,315和PBSS3540E,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS3540M,315 PBSS3540E,115

描述 DFN PNP 40V 0.5ASC-75 PNP 40V 0.5A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-883 SOT-416

频率 - 300 MHz

极性 PNP PNP

耗散功率 430 mW 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 150 @100mA, 2V 150 @100mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @10mA, 2V

额定功率(Max) 430 mW 250 mW

耗散功率(Max) 430 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

额定功率 - -

封装 SOT-883 SOT-416

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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