对比图
型号 IRF3007PBF IRFZ14PBF STP75NF75
描述 Single N-Channel 75V 12.6mOhm 130NC HEXFET Power Mosfet SMT - TO-220AB功率MOSFET Power MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 60.0 V 75.0 V
额定电流 80.0 A 10.0 A 80.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.2 Ω 0.0095 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 43 W 300 W
阈值电压 - 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 75 V 60 V 75 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 75.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 10.0 A 80.0 A
上升时间 80.0 ns 50 ns 25.0 ns
输入电容(Ciss) 3270pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 43 W 300 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 175 ℃
耗散功率(Max) - 43 W 300W (Tc)
下降时间 - 19 ns -
产品系列 IRF3007 - -
长度 - 10.41 mm 10.4 mm
宽度 - 4.7 mm 4.6 mm
高度 - 9.01 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16
ECCN代码 - - EAR99