MSD42WT1和PMSTA42,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSD42WT1 PMSTA42,115 MSD42WT1G

描述 NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage TransistorsSC-70 NPN 300V 0.1ANPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

额定电压(DC) 300 V - 300 V

额定电流 150 mA - 150 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 0.2 W 450 mW

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.1A 0.15A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - - 40

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 150 mW

频率 - 50 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 25 @1mA, 10V -

长度 - - 2.1 mm

宽度 - 1.35 mm 1.24 mm

高度 - - 0.85 mm

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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