74HC165N和SN74HC165N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 74HC165N SN74HC165N SN74HC165D

描述 NXP  74HC165N  移位寄存器, 并行至串行, 1元件, DIP, 16 引脚, 2 V, 6 VTEXAS INSTRUMENTS  SN74HC165N  移位寄存器, HC系列, 并行至串行、串行至串行, 1元件, DIP, 16 引脚, 2 V, 6 VTEXAS INSTRUMENTS  SN74HC165D  移位寄存器, HC系列, 并行至串行、串行至串行, 1元件, SOIC, 16 引脚, 2 V, 6 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 逻辑芯片移位寄存器移位寄存器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 DIP PDIP-16 SOIC-16

数字逻辑电平 - - CMOS

电源电压(DC) 5.00 V, 6.00 V (max) 2.00V ~ 6.00V 2.00V ~ 6.00V

输出接口数 - 1 1

输出电流 - 5.2 mA 5.2 mA

电路数 8 1 1

针脚数 16 16 16

位数 8 8 8

传送延迟时间 - 30.0 ns 30.0 ns

电压波节 - 6.00 V, 5.00 V, 2.00 V 6.00 V, 5.00 V, 2.00 V

输出电流驱动 - -1.00 mA -1.00 mA

输出电流(Max) - 5.2 mA 5.2 mA

输入数 - 9 9

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 2V ~ 6V 2V ~ 6V

电源电压(Max) 6 V 6 V 6 V

电源电压(Min) 2 V 2 V 2 V

频率 56.0 MHz - -

长度 19.025 mm 19.3 mm 9.9 mm

宽度 7.62 mm 6.35 mm 3.91 mm

高度 - 4.57 mm 1.58 mm

封装 DIP PDIP-16 SOIC-16

重量 - - 0.0022670548152 kg

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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