IRF820PBF和NTE2398

对比图

型号 IRF820PBF NTE2398

描述 VISHAY  IRF820PBF.  场效应管, MOSFET, N沟道NTE ELECTRONICS  NTE2398  场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 4.5A TO-220

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 2.50 A -

额定功率 50 W -

针脚数 3 3

漏源极电阻 3 Ω 1.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 40 W 74 W

阈值电压 4 V 4 V

输入电容 360pF @25V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500V (min)

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 4.50 A

上升时间 8.60 ns 16.0 ns

输入电容(Ciss) 360pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 50 W -

长度 10.41 mm -

宽度 4.7 mm -

高度 9.01 mm -

封装 TO-220 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tube -

产品生命周期 - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

HTS代码 - 85412900951