PN2222TA和PN2222TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PN2222TA PN2222TF PN2222TAR

描述 PN2222 Series 30V 600mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 600 mA 600 mA -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 625 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 100 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 300 300 -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -

频率 - 300 MHz -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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