2N7002K-7和BSS119E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002K-7 BSS119E6327 2N7002K-E3

描述 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3MOSFET N-CH 100V 170mA SOT-23SOT-23 N-CH 60V 0.3A

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

极性 N-Channel - N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 170 mA 0.3A

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 78pF @25V(Vds) 30pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 370mW (Ta) 360mW (Ta) 350 mW

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 2 Ω - -

耗散功率 350 mW 360mW (Ta) -

阈值电压 1.6 V - -

上升时间 3.4 ns 5.00 ns -

额定功率(Max) 370 mW - -

下降时间 9.9 ns - -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 170 mA -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

宽度 1.3 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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