IPI65R190CFDXKSA1和SPI20N60CFD

对比图

型号 IPI65R190CFDXKSA1 SPI20N60CFD SPI20N60CFDHKSA1

描述 TO-262 N-CH 650V 17.5A酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technologyTO-262 N-CH 600V 20.7A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 151W (Tc) 208 W 208W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 17.5A 20.7 A 20.7A

输入电容(Ciss) 1850pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 151W (Tc) - 208W (Tc)

额定功率 151 W - -

上升时间 8.4 ns 15 ns -

下降时间 6.4 ns 6.4 ns -

漏源极电阻 - 0.22 Ω -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 208 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

长度 10.2 mm 10.2 mm -

宽度 4.5 mm 4.5 mm -

高度 9.45 mm 9.45 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -