对比图
型号 IRLML5103TRPBF NDS352AP NDS356AP
描述 INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 0.54 W 500 mW -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.6 Ω 0.25 Ω 300 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 540 mW 500 mW 500 mW
阈值电压 1 V - -
输入电容 75 pF - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 0.76A 900 mA 1.10 A
上升时间 8.2 ns - 17 ns
输入电容(Ciss) 75pF @25V(Vds) 135pF @15V(Vds) 280pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 540 mW 460 mW 460 mW
下降时间 16 ns 30 ns 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 540 mW 500mW (Ta) 500mW (Ta)
额定电压(DC) - -30.0 V -30.0 V
额定电流 - -900 mA -1.10 A
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - -30.0 V -30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 3.04 mm 2.92 mm 2.92 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 1.02 mm 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 - EAR99 EAR99