AOB20S60L和TK20E60U

对比图

型号 AOB20S60L TK20E60U SIHG22N60S-GE3

描述 二极管与整流器TOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 VTRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Toshiba (东芝) Vishay Siliconix

分类 MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-220 -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 266 W 190 W -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 20A 20A -

上升时间 32 ns 40 ns -

输入电容(Ciss) 1038pF @100V(Vds) - -

额定功率(Max) 266 W - -

下降时间 30 ns 12 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 266W (Tc) - -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.19 Ω -

阈值电压 - 3 V -

封装 TO-263-3 TO-220 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 - NLR -