MS1261和MS1337

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MS1261 MS1337 MRF314

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PLASTIC, M122, 4PinTrans RF BJT NPN 18V 8A 4Pin Style M113RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis Chassis -

引脚数 4 4 -

封装 M-122 M113 -

耗散功率 34000 mW 70000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 18 V - -

增益 12 dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V - -

额定功率(Max) 34 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 34000 mW 70000 mW -

高度 16.26 mm 7.11 mm -

封装 M-122 M113 -

工作温度 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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