对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PLASTIC, M122, 4PinTrans RF BJT NPN 18V 8A 4Pin Style M113RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Chassis Chassis -
引脚数 4 4 -
封装 M-122 M113 -
耗散功率 34000 mW 70000 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 18 V - -
增益 12 dB - -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V - -
额定功率(Max) 34 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 34000 mW 70000 mW -
高度 16.26 mm 7.11 mm -
封装 M-122 M113 -
工作温度 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -