2N6487G和D44H8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6487G D44H8 2N6487

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N6487G  双极晶体管功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 5 MHz 50 MHz -

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 15.0 A 8.00 A 15.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.8 W 50 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @5A, 4V 40 @4A, 1V 20 @5A, 4V

额定功率(Max) 1.8 W 60 W 1.8 W

直流电流增益(hFE) 5 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1800 mW 60000 mW -

针脚数 3 - -

热阻 1.67℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 15A - 15A

最大电流放大倍数(hFE) 150 - 150

长度 10.53 mm 10.67 mm -

宽度 4.83 mm 4.83 mm -

高度 15.75 mm 9.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Rail Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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