对比图
型号 FDS6894A FDS6911 SI9926CDY-T1-GE3
描述 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFETFDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -
额定电流 8.00 A 7.50 A -
通道数 2 2 -
漏源极电阻 17 mΩ 0.013 Ω 0.015 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 1.6 W 2 W
阈值电压 - 1.8 V 1.5 V
输入电容 1.68 nF 1.13 nF -
栅电荷 17.0 nC 24.0 nC -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V 20 V -
栅源击穿电压 ±8.00 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.50 A 8.00 A
上升时间 14 ns 5 ns -
输入电容(Ciss) 1676pF @10V(Vds) 1130pF @15V(Vds) 1200pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 900 mW 2 W
下降时间 12 ns 7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1600 mW 2000 mW
针脚数 - - 8
长度 4.9 mm 4.9 mm -
宽度 3.9 mm 3.9 mm -
高度 1.75 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -