AS4C16M16MD1-6BCN和AS4C16M16MD1-6BCNTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C16M16MD1-6BCN AS4C16M16MD1-6BCNTR

描述 DDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 9MM, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz 16M x 16 Mobile DDR

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 60 60

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

存取时间 - 6.5 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -25 ℃

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

工作温度 -25℃ ~ 85℃ (TJ) -25℃ ~ 85℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台