IRF7326D2TR和IRF7326D2TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7326D2TR IRF7326D2TRPBF

描述 SOIC P-CH 30V 3.6ASOIC P-CH 30V 3.6A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

极性 P-CH P-CH

耗散功率 2W (Ta) 2W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3.6A 3.6A

上升时间 - 17 ns

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W

下降时间 - 18 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta)

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

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