US1G和US1G-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 US1G US1G-TP US1G-E3/5AT

描述 Rectifier Diode, 1Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2PinRectifier Diode, 1Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2PinVISHAY  US1G-E3/5AT  快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Micro Commercial Components (美微科) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管整流二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SMA DO-214AC DO-214AC

正向电压 1.25 V 1.4V @1A 1V @1A

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 1000 mA - 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 30 A

正向电压(Max) - 1.4V @1A 1 V

正向电流(Max) 1 A 1 A 1 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

热阻 - 30℃/W (RθJL) -

负载电流 1 A - -

长度 - - 4.5 mm

宽度 - - 2.79 mm

高度 - - 2.09 mm

封装 SMA DO-214AC DO-214AC

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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