对比图
型号 FDS8813NZ IRF8736TRPBF IRF8736PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8813NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.5 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.8 VINFINEON IRF8736TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0039 ohm, 10 V, 1.8 VINFINEON IRF8736PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0038 Ω 0.0039 Ω 0.0048 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 18.5 A 18A 18A
输入电容(Ciss) 4145pF @15V(Vds) 2315pF @15V(Vds) 2315pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
通道数 - 1 1
输入电容 - 2315 pF -
上升时间 - 15 ns 15 ns
下降时间 - 7.5 ns 7.5 ns
正向电压(Max) - - 1 V
长度 4.9 mm 5 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm
高度 1.575 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -