对比图
型号 IPP80N06S2-09 STP85NF55L STB140NF55T4
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 80.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.006 Ω 0.0065 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 300 W 300 W
阈值电压 - 1.6 V 3 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55.0 V 55.0 V
栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80.0 A
上升时间 29 ns 165 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 2360pF @25V(Vds) 4050pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 300 W 300 W
下降时间 28 ns 55 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -