对比图
型号 IRF7205 STS5PF30L NTMD4N03R2G
描述 Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8Pin SOICP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V 30.0 V
额定电流 -5.30 A -5.00 A 4.00 A
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.048 Ω
极性 P-Channel P-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2 W
阈值电压 - 1.6 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) -4.60 A 5.00 A 4.00 A, 4.00 mA
上升时间 21.0 ns 35 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 870pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 400pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2 W
下降时间 - 35 ns 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2 W
产品系列 IRF7205 - -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.25 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99