对比图
型号 STI18NM60N STI200N6F3 STU5N95K3
描述 I2PAK N-CH 600V 13AI2PAK N-CH 60V 120ASTMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-251-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 110W (Tc) 330W (Tc) 90 W
漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 950 V
连续漏极电流(Ids) 13A 120A -
输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 6265pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 110W (Tc) 330W (Tc) 90W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 3 Ω
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 950 V
上升时间 - - 7 ns
下降时间 - - 18 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-251-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 2.4 mm
高度 - - 6.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99