IRG4BC30S-SPBF和IRG4BC30S-STRLP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC30S-SPBF IRG4BC30S-STRLP

描述 IGBT 晶体管 600V DC-1kHzTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 100 W 100000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 100 W 100 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW

额定功率 - 100 W

长度 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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