FDS6612A和SI9410DY

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6612A SI9410DY IRF7403TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6612A  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V单N沟道增强型MOSFET Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETINFINEON  IRF7403TRPBF  场效应管, MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 8.40 A 7.00 A 8.50 A

漏源极电阻 0.019 Ω 30.0 mΩ 0.035 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.50 W 2.5 W

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.40 A 7.00 A 8.50 A

针脚数 8 - 8

阈值电压 1.9 V - 1 V

输入电容 560 pF - -

栅电荷 5.40 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

上升时间 5 ns - 37 ns

输入电容(Ciss) 560pF @15V(Vds) - 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

下降时间 3 ns - 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

额定功率 - - 2.5 W

产品系列 - - IRF7403

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

ECCN代码 EAR99 - -

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