IRFF130和JANTX2N6796

对比图

型号 IRFF130 JANTX2N6796 JANTX2N6788

描述 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-205-3 -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 180 mΩ -

耗散功率 - 800 mW -

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

上升时间 - 75 ns -

额定功率(Max) - 800 mW -

下降时间 - 45 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 800mW (Ta), 25W (Tc) -

封装 - TO-205-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -