DTA114ESATP和MUN5111DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA114ESATP MUN5111DW1T1G MUN2237T1G

描述 内置偏置电阻使能逆变器电路的配置,而无需连接外部输入电阻器 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistorsON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 6 3

封装 SC-72-3 SC-88-6 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V 50.0 V

额定电流 -50.0 mA -100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel NPN

耗散功率 300 mW 0.385 W 0.338 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 50mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 35 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 300 mW 250 mW 338 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 385 mW 338 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 10V -

封装 SC-72-3 SC-88-6 SOT-23-3

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台