对比图
型号 IRF1010ZSPBF IRF1010ZSTRLPBF AUIRF1010ZS
描述 INFINEON IRF1010ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 55 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON AUIRF1010ZS 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0075 Ω 0.0058 Ω 0.0058 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 140 W 140 W 140 W
阈值电压 4 V 4 V 2 V
输入电容 - 2840 pF -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 94A 94A 94A
上升时间 - 150 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 140 W -
下降时间 - 92 ns 92 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
额定功率 140 W - 140 W
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 11.3 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17