ZTX869和ZTX869STZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX869 ZTX869STZ ZTX869STOA

描述 DIODES INC.  ZTX869  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 450 hFENPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 5.00 A 5.00 A -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1.2 W 1.2 W 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V -

集电极最大允许电流 5A 5A -

最小电流放大倍数(hFE) 300 @1A, 1V 300 @1A, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) 300 @10mA, 1V 300 @10mA, 1V 300 @10mA, 1V

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W -

直流电流增益(hFE) 450 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW -

增益频宽积 - 100 MHz -

长度 4.77 mm 4.77 mm 4.77 mm

宽度 2.41 mm 2.41 mm 2.41 mm

高度 4.01 mm 4.01 mm 4.01 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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