TIP121和TIP121TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP121 TIP121TU TIP121G

描述 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  TIP121G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 5.00 A 5.00 A 5.00 A

输出电压 - - 80 V

输出电流 - - 5 A

针脚数 3 - 3

输入电流 - - 120 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 65 W 2 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流 - 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @3A, 3V 1000 @3A, 3V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 1000 1000 1000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 65 W 2000 mW

输入电压 - - 2.5 V

额定功率 2 W 2 W -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.28 mm

宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

高度 16.3 mm 16.51 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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