对比图
型号 SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3
描述 VISHAY SI2337DS-T1-E3 晶体管, P沟道VISHAY SI2337DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-236 TO-236
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.216 Ω 0.216 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 760 mW
漏源极电压(Vds) -80.0 V -80.0 V
连续漏极电流(Ids) -2.20 A -2.20 A
上升时间 15 ns -
下降时间 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃
耗散功率(Max) - 2.5 W
长度 3.04 mm 3.04 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm
封装 TO-236 TO-236
宽度 - 1.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
包装方式 - Tape & Reel (TR)
ECCN代码 - EAR99