对比图
描述 PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1027PT 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -700 mV
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 WDFN-6 WDFN-6
耗散功率 1.4 W 1.4 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
上升时间 11 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 435pF @10V(Vds) 435pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 700 mW
下降时间 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.8 W -
针脚数 - 6
漏源极电阻 - 0.09 Ω
极性 P-Channel Dual P-Channel
连续漏极电流(Ids) 2.20 A 3A
封装 WDFN-6 WDFN-6
长度 2 mm 2 mm
宽度 2 mm 2 mm
高度 0.75 mm 0.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 -