IPD50N04S3-08和IPD50N04S3-09

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD50N04S3-08 IPD50N04S3-09 AOI4184

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorTO-251A N-CH 40V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

引脚数 - - 3

通道数 - 1 -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 50A

输入电容(Ciss) 2350pF @25V(Vds) 1750pF @25V(Vds) 1800pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 68 W 63 W 2.3 W

耗散功率 68 W - 2.3W (Ta), 50W (Tc)

上升时间 7 ns - 17.2 ns

下降时间 6 ns - 16.8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 68W (Tc) - 2.3W (Ta), 50W (Tc)

长度 6.5 mm 6.5 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.3 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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