极性 N-CH
耗散功率 68 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 2350pF @25VVds
额定功率Max 68 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD50N04S3-08 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD50N04S3-09 英飞凌 | 类似代替 | IPD50N04S3-08和IPD50N04S3-09的区别 |
AOI4184 万代半导体 | 功能相似 | IPD50N04S3-08和AOI4184的区别 |