IPD50N04S3-08

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IPD50N04S3-08中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 2350pF @25VVds

额定功率Max 68 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD50N04S3-08
型号: IPD50N04S3-08
描述:的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
替代型号IPD50N04S3-08
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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