PBSS5140T和PMMT591A,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5140T PMMT591A,215 PBSS5140T,215

描述 低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsNexperia PMMT591A,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:160, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 PNP - -

耗散功率 300 mW 250 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 1A - -

频率 - 150 MHz -

额定功率 - 0.25 W 0.45 W

针脚数 - 3 -

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @100mA, 5V 300 @100mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 300 @1mA, 5V 300 @1mA, 5V

额定功率(Max) - 250 mW 450 mW

直流电流增益(hFE) - 300 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 450 mW

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3 mm 3 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1 mm 1 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

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