PUMD15和PUMD15,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMD15 PUMD15,115

描述 NXP  PUMD15  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363NXP  PUMD15,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-363

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363 SC-88-6

针脚数 6 6

极性 NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @10mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW

直流电流增益(hFE) 30 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

高度 1 mm 1 mm

封装 SOT-363 SC-88-6

长度 2.2 mm -

宽度 1.35 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - -

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