DTD113ZKT146和DTD113ZL-AE3-6-R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTD113ZKT146 DTD113ZL-AE3-6-R DTD113ZUT106

描述 ROHM  DTD113ZKT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFESmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3ROHM  DTD113ZUT106  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 200 MHz, 200 mW, 500 mA, 82 hFE

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) UTC (友顺) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 - SC-70-3

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

额定功率 0.2 W - 0.2 W

极性 NPN - NPN

耗散功率 200 mW - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - 50 V

集电极最大允许电流 500mA - 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 82 @50mA, 5V - 82 @50mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 82 - 82

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

直流电流增益(hFE) 82 - 82

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

增益带宽 200 MHz - 200 MHz

耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW

长度 2.9 mm - 2.00 mm

宽度 1.6 mm - 1.25 mm

高度 1.2 mm - 0.80 mm

封装 SOT-23-3 - SC-70-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

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