FJY4001R和R2001

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJY4001R R2001

描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 -

封装 SOT-523-3 -

额定电压(DC) -50.0 V -

额定电流 -100 mA -

极性 PNP -

耗散功率 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V -

集电极最大允许电流 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @10mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 20 -

额定功率(Max) 200 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

长度 1.7 mm -

宽度 0.98 mm -

高度 0.78 mm -

封装 SOT-523-3 -

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -

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