对比图
型号 PHD101NQ03LT,118 BUK9207-30B,118 PHD101NQ03LT
描述 DPAK N-CH 30V 75ATrans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RNXP PHD101NQ03LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 1.9 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 - -
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 5 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 166 W 167 W 166 W
阈值电压 - - 1.9 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A - 75A
工作温度(Max) - - 175 ℃
上升时间 90 ns 82 ns -
输入电容(Ciss) 2180pF @25V(Vds) 3430pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 166 W 167 W -
下降时间 33 ns 107 ns -
耗散功率(Max) 166W (Tc) - -
通道数 - 1 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
宽度 - 6.22 mm -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 185℃ -