PHD101NQ03LT,118和BUK9207-30B,118

对比图

型号 PHD101NQ03LT,118 BUK9207-30B,118 PHD101NQ03LT

描述 DPAK N-CH 30V 75ATrans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RNXP  PHD101NQ03LT  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 5 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 166 W 167 W 166 W

阈值电压 - - 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A - 75A

工作温度(Max) - - 175 ℃

上升时间 90 ns 82 ns -

输入电容(Ciss) 2180pF @25V(Vds) 3430pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 166 W 167 W -

下降时间 33 ns 107 ns -

耗散功率(Max) 166W (Tc) - -

通道数 - 1 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

宽度 - 6.22 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 185℃ -