对比图
型号 2SK3271-01 SUP90N06-6M0P-E3 IPI100N06S3L-04
描述 TO-3P N-CH 60V 100AMOSFET N-CH 60V 90A TO220AB的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-262
正向电压 1.00 V - -
漏源极电阻 6.5 mΩ - -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 155 W 3.75W (Ta), 272W (Tc) -
输入电容 9000pF @25V - 26.2 nF
漏源极电压(Vds) 60 V - 55.0 V
漏源击穿电压 60 V - -
连续漏极电流(Ids) 100A - 100 A
上升时间 200 ns - 58 ns
下降时间 135 ns - 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
输入电容(Ciss) - 4700pF @30V(Vds) 17270pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 272W (Tc) 214000 mW
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 100 A
栅电荷 - - 550 nC
长度 15.5 mm - -
封装 TO-220 TO-220-3 TO-262
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free