对比图
型号 CY7C1420AV18-250BZC CY7C1420KV18-250BZXC CY7C1420KV18-250BZXI
描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1420KV18 系列 36 Mb (1 M x 36) 1.7 - 1.9 V DDR II SRAM - FBGA-16536兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 36 36 36
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
供电电流 - 490 mA -
时钟频率 - 250 MHz -
存取时间 - 0.45 ns -
电源电压(Max) 1.9 V - -
电源电压(Min) 1.7 V - -
高度 0.89 mm - 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -