对比图
型号 IRFB4410ZPBF STP120NF10 STP165N10F4
描述 N沟道,100V,97A,9mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VTO-220 N-CH 100V 120A
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 9 mΩ 0.009 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 230 W 312 W 315 W
产品系列 IRFB4410Z - -
输入电容 4820pF @50V - 10750 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 96.0 A 110 A 120A
输入电容(Ciss) 4820pF @50V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 10500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 312 W 315 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 120 A -
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 90 ns 62 ns
下降时间 - 68 ns 106 ns
耗散功率(Max) - 312000 mW 315W (Tc)
长度 10.66 mm 10.4 mm -
高度 9.02 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99