SGD04N60和SGR6N60UFTF

对比图

型号 SGD04N60 SGR6N60UFTF STGD3NB60HT4

描述 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

安装方式 - Surface Mount -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.1 mm -

高度 - 2.3 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 3.00 A -

耗散功率 - 30 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -

额定功率(Max) - 30 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

ECCN代码 - EAR99 -