SGR6N60UFTF参数规格_中文资料_数据手册PDF

SGR6N60UFTF概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT 600V 6A 30W Surface Mount D-Pak

得捷:
N-CHANNEL IGBT

贸泽:
IGBT Transistors 600V/3A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

SGR6N60UFTF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 3.00 A

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGR6N60UFTF

型号： SGR6N60UFTF

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号SGR6N60UFTF