对比图
型号 CY7C2564XV18-366BZC CY7C2564XV18-366BZXC
描述 72兆位QDR® II的Xtreme SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT72兆位QDR® II的Xtreme SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
位数 36 36
存取时间 0.45 ns 0.45 ns
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V -
电源电压(Min) 1.7 V -
供电电流 - 1165 mA
时钟频率 - 366 MHz
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 - 3A991.b.2.a