对比图


描述 ROHM SCH2080KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 VROHM SCT2080KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.08 Ω 0.08 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 179 W 179 W
阈值电压 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V
上升时间 33 ns 36 ns
输入电容(Ciss) 1850pF @800V(Vds) 2080pF @800V(Vds)
额定功率(Max) 179 W 179 W
下降时间 28 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 262W (Tc) 262W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 35A -
长度 15.9 mm 15.9 mm
宽度 20.95 mm 20.95 mm
高度 5.03 mm 5.03 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99