FDS4897C和SI4410DYTRPBF

对比图

型号 FDS4897C SI4410DYTRPBF FDS8960C

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.2 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 VINFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8960C  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 35 V, 24 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - - 7.00 A

通道数 - 1 2

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.021 Ω 0.01 Ω 24 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 2.5 W 2 W

阈值电压 1.9 V 1 V 2 V

输入电容 - 1585 pF 540 pF

栅电荷 - - 5.70 nC

漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 35 V

漏源击穿电压 - 30 V 35 V

连续漏极电流(Ids) 6.2A/4.4A - 7.00 A

上升时间 - 7.7 ns 16.0 ns

输入电容(Ciss) 760pF @20V(Vds) 1585pF @15V(Vds) 570pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2.5 W 900 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2.5W (Ta) 2000 mW

下降时间 - 44 ns -

长度 5 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99