对比图
型号 CY7C1425KV18-300BZC CY7C1426KV18-300BZXC
描述 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ？ II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 LBGA-165 FBGA-165
时钟频率 - 300 MHz
位数 - 9
存取时间(Max) - 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
存取时间 0.45 ns -
电源电压(Max) 1.9 V -
电源电压(Min) 1.7 V -
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 LBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free