LMUN5235DW1T1G和SMUN5235DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMUN5235DW1T1G SMUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1

描述 三极管MUN5235DW1 系列 50 V 100 mA 双 NPN 偏置 电阻 晶体管 - SOT-363Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SC-88 SC-70-6 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 360 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 187 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 385 mW -

封装 SC-88 SC-70-6 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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