JAN2N6675和JANTX2N6675

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6675 JANTX2N6675 2N6675

描述 Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-204 TO-3 TO-204

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 6000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 8 @10A, 2V - -

额定功率(Max) 6 W - -

封装 TO-204 TO-3 TO-204

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 - -

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