对比图
型号 IRFPG50PBF IXFH6N100 IXFH6N100F
描述 VISHAY IRFPG50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH6N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 VIXYS RF IXFH6N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 2 Ω 2 Ω 1.9 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 180 W 180 W
阈值电压 4 V 4.5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 1 kV 1 kV
漏源击穿电压 1000 V - 1000 V
连续漏极电流(Ids) 6.10 A 6.00 A 6.00 A
上升时间 35 ns 40 ns 8.6 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1770pF @25V(Vds)
下降时间 36 ns 60 ns 8.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190 W 180W (Tc) 180W (Tc)
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -
额定电流 6.10 A 6.00 A -
额定功率 190 W 180 W -
输入电容 2800pF @25V - -
额定功率(Max) - 180 W -
长度 15.87 mm - 16.26 mm
宽度 5.31 mm - 5.3 mm
高度 20.7 mm - 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/06/15
香港进出口证 - NLR -